01
12インチウェハーに対応するコンパクト設計
基板有効幅310mmを確保し、12インチウェハーにも対応。全長2m以下のコンパクトな筐体で、半導体後工程の研究開発・評価・試作環境にも導入しやすい設計です。
N2 REFLOW SOLDERING SYSTEM
UNI-6131
小型N2リフロー炉
12インチウェハー・WLPなど、半導体後工程の研究開発・評価・試作に
半導体・電子部品・先端パッケージ分野など、高度化する加熱プロセスに対応し、310mm幅ワークや12インチウエハ搬送にも対応可能。SEMI規格「S2」「S8」対応、CE認証取得、GEM通信対応に加え、クリーンクラス1,000環境にも対応しています。大型リフロー炉レベルの温度プロファイルをコンパクトな装置サイズで再現し、試作・研究開発・少量多品種生産・先端実装工程など幅広い用途に対応します。
※小型リフロー炉 UNI-6131は、横浜市の「中小企業新技術・新製品開発促進助成事業（採択番号：2025YC02）」において支援を受けて開発したものです。
FEATURES
主な特長
02
6加熱ゾーン × 弱風コンベクション＋遠赤外線
コンパクトな筐体に6つの加熱ゾーンを搭載。弱風コンベクションと遠赤外線を組み合わせた加熱方式により、各ゾーンの温度条件を設定しながら、多様な温度プロファイルを構築できます。
03
N2雰囲気・低酸素プロセスに対応
N2雰囲気でのリフローに対応し、酸素濃度計を標準搭載。低酸素濃度仕様やN2全ゾーン供給などのオプションにより、プロセス条件に応じた雰囲気制御にも対応します。
SPECIFICATIONS
基本仕様
| ゾーン数 | 加熱6ゾーン / 冷却1ゾーン |
|---|---|
| 加熱方式 | 上下熱風＋遠赤外線加熱方式 |
| 最大設定温度 | 上部350℃ / 下部350℃ |
| 基板有効幅 | 50～310mm |
| 搬送方式（選択式） | ピンチェーン搬送 / メッシュ搬送 |
| 搬送速度 | 0.1～0.5m/min |
| 部品有効高さ | 上面10mm / 下面10mm（※ラビリンス上下機構により高さ調整可） |
| 酸素濃度計 | 標準搭載 |
| 対応言語 | 日・英・中・韓 |
| PCコンセント | 1個（100V） |
| 基板乗せ代（ピンチェーン搬送） | 4mm |
| パスライン | 900±20mm |
| 入力電源 | AC200V 3φ 15kVA 44A（ピーク電力抑制モード） |
| 安定時消費電力 | 約5kW/h |
| 装置寸法 | L1,990×D1,320×H1,410mm |
| 装置重量 | 800kg |
OPTIONS
オプション
掲載しているオプション以外にも、ワークサイズ、温度条件、雰囲気、搬送方式など、プロセス条件に応じた仕様変更・カスタマイズに対応しています。
TACT SIMULATOR
この製品の処理能力を確認する
基板サイズと要求タクトから、必要な搬送速度と処理能力を簡単に確認できます。
APPLICATIONS
主な用途
12インチウェハーやWLPをはじめ、BGA、バンプ形成、ダイアタッチなど、半導体後工程・先端パッケージの研究開発、プロセス評価、試作に対応します。ワークやプロセス条件に応じた装置仕様についてもご相談ください。
CONTACT
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